這表明等離子體和催化劑的作用機理與純催化作用的機理并不相同，cob等離子體清洗等離子體等離子體和催化劑的作用機理有待進一步研究。在CO2氧化物CH4轉(zhuǎn)化反應(yīng)中，LA203/Y-AL203、NA2WO4/Y-AL203等通過表面反應(yīng)提高C2烴類產(chǎn)品的選擇性，從而提高C2烴類產(chǎn)品的收率，但不能從根本上提高C2烴類產(chǎn)品的收率碳氫化合物產(chǎn)品。

在可變C2烴類產(chǎn)品的分布中，cob等離子體清洗機器乙炔占C2烴類產(chǎn)品的70%以上，反應(yīng)的氣相副產(chǎn)物為H2和CO。鑒于上述試驗結(jié)果，必須選擇合適的催化劑來改變C2烴產(chǎn)物的分布，增加C2烴產(chǎn)物中C2H2的摩爾分數(shù)，增加反應(yīng)原子的經(jīng)濟效益。

相反，cob等離子體清洗隨著 CEO2 上的負載增加，CO2 轉(zhuǎn)化率下降。隨著 CEO2 負載從 0 增加到 10%，C2H4 和 C2H2 的總產(chǎn)率從 12.7% 增加到 21.8%。因此，有必要研究10%CEO2/Y-AL2O3與等離子體聯(lián)合作用下乙烷的轉(zhuǎn)化反應(yīng)。

C2H6 + E * & RARR; CH3 + CH3 + E (3-38) C2H6 + E * & RARR; C2H5 + H + E (3-39) 同樣，cob等離子體清洗CO2分子與高能電子之間的非彈性碰撞促進CO增加鍵被裂解產(chǎn)生活性氧物質(zhì)：CO2 + E * & RARR；CO + O- (3-40) CO2 + E * & RARR；CO + O + E (3-41) 活性氧物質(zhì)和 C2H6 分子。

cob等離子體清洗機器

到 C2H4 和 C2H2：C2H6 + 0 & RARR; C2H4 + H2OC2H6 + O- & RARR; C2H4 + H2O + E (3-42) C2H6 + 2O & RARR; C2H4 + H2O C2H6 + 2O- & RARR; C2H2 + 2H2 因此，隨著添加到反應(yīng)系統(tǒng)中的 CO2 量的增加，更多的氧物質(zhì)與乙烷反應(yīng)生成乙烯和乙炔。

但在DBD放電等離子等離子體的作用下，CH4與CO2重整反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物轉(zhuǎn)化率較低，反應(yīng)能耗較高。 LI 等人分別研究了在直流和交流電暈放電作用下 CH4 和 CO2 的重整反應(yīng)。實驗結(jié)果表明，CH4和CO2在電暈放電等離子體作用下的重整反應(yīng)，與直流正電暈放電后交流電暈放電相比，反應(yīng)物、H2的選擇轉(zhuǎn)化率更高。可以獲得選擇性。直流負電暈。馬里縮酮。還有杰塞雷塔爾。

當(dāng)?shù)入x子清洗功率為100W、200W、300W、400W、500W時，78L12芯片正常工作如下。溫和加熱條件（85℃）下輸出電壓的變化假設(shè)等離子清洗時間和氣氛不變，隨著清洗功率的增加，正常等離子清洗前后78L12芯片的輸出電壓變化增加。這同樣適用于傾向于線性增加的加熱條件。假設(shè)等離子清洗功率和氣氛不變，78L12芯片在常溫加熱條件下等離子清洗前后的輸出電壓趨于不斷增加，隨著清洗時間的增加趨于穩(wěn)定。

3、退火工藝對78L12芯片電性能的影響將常規(guī)工藝等離子清洗后的78L12芯片在150℃的空氣環(huán)境中存放4小時，測試輸出電壓。 4H，芯片輸出電壓明顯下降。加熱條件下的儲存環(huán)境加快了芯片材料中原子的運動速度和振動頻率，促進了原子向平衡態(tài)的轉(zhuǎn)變。這表現(xiàn)為 78L12 芯片的輸出電壓下降。這也說明78L12芯片在等離子清洗過程中的電壓上升是一個可逆的過程，不會因為芯片內(nèi)部發(fā)生破壞而損壞。

cob等離子體清洗

4、上電老化對78L12芯片電特性的影響將退火后的78L12芯片在125℃老化168小時后，cob等離子體清洗機器測量芯片的輸出電壓如表4所示。芯片已通過電源劣化評估，輸出電壓值穩(wěn)定。老化后的輸出電壓略低于等離子清洗前測量的初始電壓。這是因為等離子清洗后的刀片退火沒有完成。在 125°C 和 168H 的加熱條件下繼續(xù)進行退火過程。并且輸出電壓進一步下降。 5、氮化硅薄膜芯片經(jīng)過多次等離子清洗后，鈍化膜上沒有出現(xiàn)起皺現(xiàn)象。