Maraffee 等人的一項研究表明，SMT等離子體除膠基于 La2O3 的催化劑具有更高的 CH4 轉化率 (27.4%) 和 C2 烴產(chǎn)率 (10%)。因此，本研究重點研究了五種負載型鑭系元素氧化物催化劑La、Ce、Pr、Sm和Nd在等離子體作用下對CH4CO2氧化成C2烴反應的催化作用。在某些等離子體效應下，所有負載型鑭系元素氧化物催化劑都顯示出活化 CH4 和 CO2 的特殊能力。

對于 CH4 活化：鑭系元素催化劑和等離子體以協(xié)同方式活化 CH 的能力存在差異。他們協(xié)同能力的順序為：Nd203 / Y-Al203> CeO2 / Y-Al203> Sm203 / Y-Al203> Pr2O11 / Y-Al203> La2O3 / Y-Al2O3。

加入一定比例的氬氣后，SMT等離子體除膠等離子體更能破壞和區(qū)分有機污染物或有機基材表面的鍵，加快清洗和活化的效率。引線鍵合和鍵合工藝使用氬氣和氫氣的混合物。不僅可以增加焊盤的粗糙度，還可以在少量回收的同時有效去除焊盤表面的有機污染物。表面氧化。業(yè)界廣泛使用的半導體封裝和SMT。等離子清洗機采用干燥環(huán)保的處理方法。等離子清洗機表面處理設備廣泛用于蝕刻、脫膠、涂層、灰度和等離子表面處理。

清洗和活化表層時，SMT等離子體除膠機器通常與活性氣體混合，但最常見的是Ar和氧氣的混合物。氧氣是一種高反應性氣體，可以有效地化學分解有機雜質和基材表面，但其顆粒相對較小，其斷鍵和沖擊力有限。有機基板或有機基板變得更堅固，從而提高了清洗和活化的效率。在等離子清洗機的過程中，將Ar和H2混合，不僅可以提高焊盤的附著力，還可以有效去除焊盤表面的有機雜質，減少表面的輕微氧化。廣泛應用于半導體封裝、SMT等行業(yè)。

SMT等離子體除膠機器

電子封裝行業(yè)使用等離子等離子鍵合來提高鋁線鍵合/焊球的鍵合質量以及芯片與環(huán)氧樹脂成型材料之間的鍵合強度。為了更好地實現(xiàn)Rasma等離子體耦合的效果，需要了解器件的工作原理和結構，并根據(jù)封裝工藝設計可行的等離子體激活工藝。等離子體清潔的工作原理是將注入的氣體激發(fā)成由電子、離子、自由基、光子和其他中性粒子組成的等離子體。由于等離子體中存在電子、離子、自由基等活性粒子，很容易與固體表面本身發(fā)生反應。

sm2O2 / Y-Al2O3 的效果明顯不同。一般而言，CeO2 / Y-Al2O3 是 CH4 完全氧化生成 CO 的極佳催化劑，不會導致生成 C2 碳氫化合物。 / Y-Al2O3是CH4氧化偶聯(lián)反應的優(yōu)良催化劑，不適用于等離子體氧化偶聯(lián)反應。等離子氣氛其催化活性尚不清楚。這表明等離子體-催化相互作用的機理不同于純催化。因此，有必要進一步研究等離子體表面處理裝置與催化劑的相互作用機理。

然而，鑭系元素催化劑對 C2 烴類產(chǎn)品的分布影響不大，其中 C2H2 是主要的 C2 烴類產(chǎn)品。等離子體等離子體作用下的純甲烷轉化反應： 等離子體等離子體作用下的純甲烷轉化反應：早在1930年代，德國Huls公司就建立了甲烷熱等離子體分解生產(chǎn)乙炔的方法，并開始了該方法的研究。甲烷被釋放到電場中并轉化為炭黑、乙炔 (C2H2) 和氫氣 (H2)。

在高K薄膜沉積的后處理工藝中，除了傳統(tǒng)的熱處理方法外，利用等離子處理裝置進行等離子處理等具有低溫特性的工藝越來越受到關注。增加等離子功率是降低薄膜泄漏電流的一個因素，另一個值得關注的因素是氧氣流量。膜的沉積后處理效果的關鍵是氧離子通量的有效量。提高等離子處理時的氧流量，可以增加薄膜中氧離子的供給量，提高等離子處理機的等離子輸出量，可以提高氧流的電離效率，進一步提高等離子處理的效果。

SMT等離子體除膠

氧化鉍是一種重要的功能性粉末材料。廣泛用于無機合成、電子陶瓷、化學試劑等領域，SMT等離子體除膠機器主要用于制造陶瓷電容器，也可用于制造壓電陶瓷、壓敏電阻等電子陶瓷元件。由于納米氧化鉍的粒徑更細，除了普通粒徑氧化鉍粉末的性能和應用外，電子材料、超導材料、特殊功能陶瓷材料、陰極射線管內壁、涂料等。因此，納米Bi:O3制備方法及應用的探索引起了國內外研究人員的廣泛興趣。

因此，SMT等離子體除膠機器低溫等離子表面處理機可以改變金屬材料的表面，從而使材料的金屬性能與表層的生物活性更好地結合，即金屬生物。使用的基礎。材料。等離子表面處理設備用于處理生物高分子材料。聚合物表面親水性較低，沒有天然識別位點，限制了其在骨組織工程中的應用。表面改性技術有效地改變了材料的表面性質，如粗糙度、形貌、電荷和化學、表面能和潤濕性，從而有效地促進了聚合物與結構之間的相互作用。